A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Simulation-Based Understanding of “Charge-Sharing Phenomenon” Induced by Heavy-Ion Incident on a 65nm Bulk CMOS Memory Circuit Compreensão baseada em simulação do “fenômeno de compartilhamento de carga” induzido por incidente de íons pesados ​​em um circuito de memória CMOS em massa de 65 nm

Akifumi MARU, Akifumi MATSUDA, Satoshi KUBOYAMA, Mamoru YOSHIMOTO

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Resumo:

Para esperar a ocorrência de um único evento em circuitos de memória CMOS altamente integrados, é necessária uma avaliação quantitativa do compartilhamento de carga entre as células de memória. Neste estudo, a área de compartilhamento de carga induzida pelo incidente de íons pesados ​​é calculada quantitativamente usando um método baseado em simulação de dispositivo. A validade deste método é confirmada experimentalmente usando o acelerador de íons pesados ​​carregado.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.1 pp.47-50
Data de publicação
2022/01/01
Publicitada
2021/08/05
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021ECS6008
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

autores

Akifumi MARU
  JAXA,Tokyo Institute of Technology
Akifumi MATSUDA
  Tokyo Institute of Technology
Satoshi KUBOYAMA
  JAXA
Mamoru YOSHIMOTO
  Tokyo Institute of Technology

Palavra-chave