A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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MFSFET with 5nm Thick Ferroelectric Nondoped HfO2 Gate Insulator Utilizing Low Power Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition MFSFET com HfO não dopado ferroelétrico de 5 nm de espessura2 Isolador de portão utilizando pulverização catódica de baixa potência para deposição de eletrodo de portão Pt

Joong-Won SHIN, Masakazu TANUMA, Shun-ichiro OHMI

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Resumo:

Nesta pesquisa, investigamos os transistores de efeito de campo semicondutores metal-ferroelétricos (MFSFETs) com HfO não dopado de 5 nm de espessura2 isolador de porta, diminuindo a potência de pulverização catódica para deposição do eletrodo de porta Pt. A corrente de fuga foi efetivamente reduzida para 2.6×10-8A/cm2 na tensão de -1.5V pela potência de pulverização catódica de 40W para deposição de eletrodo de Pt. Além disso, foi alcançada a janela de memória (MW) de 0.53V e tempo de retenção superior a 10 anos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.578-583
Data de publicação
2022/10/01
Publicitada
2022/06/27
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021FUP0003
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria

autores

Joong-Won SHIN
  Tokyo Institute of Technology
Masakazu TANUMA
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

Palavra-chave