A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Admittance Spectroscopy Up to 67 GHz in InGaAs/InAlAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes Espectroscopia de admitância de até 67 GHz em diodos de túnel ressonantes de barreira tripla InGaAs/InAlAs

Kotaro AIKAWA, Michihiko SUHARA, Takumi KIMURA, Junki WAKAYAMA, Takeshi MAKINO, Katsuhiro USUI, Kiyoto ASAKAWA, Kouichi AKAHANE, Issei WATANABE

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Resumo:

Os parâmetros S dos diodos de tunelamento ressonante de barreira tripla InGaAs / InAlAs (TBRTDs) foram medidos até 67 GHz com várias áreas de mesa e várias tensões de polarização. Os dados de admissão de TBRTDs simples são incorporados e avaliados eliminando componentes parasitas com a ajuda de simulações eletromagnéticas para estruturas de dispositivos fabricadas específicas. A espectroscopia de admitância até 67 GHz é aplicada para TBRTDs nus pela primeira vez e uma relação de Kramers-Kronig com função Lorentziana é considerada um modelo consistente para a admitância, especialmente em casos de condições de baixa polarização. O tempo de relaxamento incluído na função Lorentziana é avaliado provisoriamente como da ordem de vários pico segundos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.622-626
Data de publicação
2022/10/01
Publicitada
2022/06/30
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021FUS0006
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria

autores

Kotaro AIKAWA
  Tokyo Metropolitan University
Michihiko SUHARA
  Tokyo Metropolitan University
Takumi KIMURA
  Tokyo Metropolitan University
Junki WAKAYAMA
  Tokyo Metropolitan University
Takeshi MAKINO
  Tokyo Metropolitan University
Katsuhiro USUI
  Tokyo Metropolitan University
Kiyoto ASAKAWA
  Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology
Kouichi AKAHANE
  National Institute of Information and Communications Technology (NICT)
Issei WATANABE
  National Institute of Information and Communications Technology (NICT)

Palavra-chave