A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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A Low Power 100-Gb/s PAM-4 Driver with Linear Distortion Compensation in 65-nm CMOS Um driver PAM-100 de 4 Gb/s de baixa potência com compensação de distorção linear em CMOS de 65 nm

Xiangyu MENG, Kangfeng WEI, Zhiyi YU, Xinlun CAI

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Resumo:

Este artigo propõe um driver de modulação de amplitude de pulso de quatro níveis de 100 Gb/s de baixa potência (Driver PAM-4) baseado em estrutura de compensação de distorção linear para moduladores de niobato de lítio de filme fino (LiNbO3), que consegue atingir alta linearidade na saída. A tecnologia de pico indutivo e a estrutura de drenagem aberta permitem que o circuito geral atinja uma largura de banda de 31 GHz. Com uma área de 0.292 mm2, o chip driver PAM-4 proposto foi projetado em um processo de 65 nm para atingir um consumo de energia de 37.7 mW. Os resultados da simulação pós-layout mostram que a eficiência energética é de 0.37 mW/Gb/s, o RLM é superior a 96% e o valor FOM é 8.84.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E106-C No.1 pp.7-13
Data de publicação
2023/01/01
Publicitada
2022/07/01
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022ECP5010
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

autores

Xiangyu MENG
  Sun Yat-sen University
Kangfeng WEI
  Sun Yat-sen University
Zhiyi YU
  Sun Yat-sen University
Xinlun CAI
  Sun Yat-sen University

Palavra-chave