A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Kr-Plasma Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition on MFSFET with 5 nm-Thick Ferroelectric Nondoped HfO2 Gate Insulator for Analog Memory Application Sputtering Kr-Plasma para deposição de eletrodo de porta Pt em MFSFET com HfO não dopado ferroelétrico de 5 nm de espessura2 Isolador de porta para aplicação de memória analógica

Joong-Won SHIN, Masakazu TANUMA, Shun-ichiro OHMI

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Resumo:

Nesta pesquisa, investigamos a tensão limite (VTH) controle por polarização parcial de transistores de efeito de campo semicondutores metal-ferroelétricos (MFSFETs) com HfO não dopado de 5 nm de espessura2 isolador de porta utilizando pulverização catódica de Kr-plasma para deposição de eletrodo de porta de Pt. A polarização remanescente (2Pr) de 7.2 μC/cm2 foi realizado por pulverização catódica de Kr-plasma para deposição de eletrodo de porta de Pt. A janela de memória (MW) de 0.58 V foi realizada pela amplitude e largura do pulso de -5/5 V, 100 ms. Além disso, o VTH do MFSFET foi controlável pelo pulso de entrada de programa/apagamento (P/E), mesmo com a largura do pulso abaixo de 100 ns, o que pode ser causado pela redução da corrente de fuga com diminuição do dano ao plasma.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E106-C No.10 pp.581-587
Data de publicação
2023/10/01
Publicitada
2023/06/02
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022FUP0003
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria

autores

Joong-Won SHIN
  Tokyo Institute of Technology
Masakazu TANUMA
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

Palavra-chave