A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Single-Electron Transistor Operation of a Physically Defined Silicon Quantum Dot Device Fabricated by Electron Beam Lithography Employing a Negative-Tone Resist Operação de transistor de elétron único de um dispositivo de ponto quântico de silício definido fisicamente, fabricado por litografia por feixe de elétrons, empregando uma resistência de tom negativo

Shimpei NISHIYAMA, Kimihiko KATO, Yongxun LIU, Raisei MIZOKUCHI, Jun YONEDA, Tetsuo KODERA, Takahiro MORI

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Resumo:

Propusemos e demonstramos um processo de fabricação de dispositivos de pontos quânticos fisicamente definidos utilizando litografia por feixe de elétrons empregando uma resistência de tom negativo para integração de alta densidade de bits quânticos de silício (qubits). A caracterização elétrica em 3.8K exibiu os chamados diamantes de Coulomb, que indicam operação bem-sucedida do dispositivo como transistores de elétron único. O processo de fabricação do dispositivo proposto será útil devido à sua alta compatibilidade com o processo de integração em larga escala.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E106-C No.10 pp.592-596
Data de publicação
2023/10/01
Publicitada
2023/06/02
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022FUS0002
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria

autores

Shimpei NISHIYAMA
  Tokyo Institute of Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba
Kimihiko KATO
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba
Yongxun LIU
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba
Raisei MIZOKUCHI
  Tokyo Institute of Technology
Jun YONEDA
  Tokyo Institute of Technology
Tetsuo KODERA
  Tokyo Institute of Technology
Takahiro MORI
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba

Palavra-chave