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Analysis of Efficiency-Limiting Factors Resulting from Transistor Current Source on Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers
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Análise de Fatores Limitantes de Eficiência Resultantes da Fonte de Corrente Transistor em Amplificadores de Potência Classe F e Classe F Inversa

Hiroshi YAMAMOTO, Ken KIKUCHI, Valeria VADALÀ, Gianni BOSI, Antonio RAFFO, Giorgio VANNINI

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Resumo:

Este artigo descreve os fatores limitantes de eficiência resultantes da fonte de corrente do transistor no caso da classe F e classe F inversa (F-1) operações em região saturada. Nós investigamos a influência dos comportamentos de tensão de joelho e de corte de tensão de porta na eficiência do dreno como fatores limitantes para a fonte de corrente. Foi realizada análise numérica utilizando um modelo de transistor simplificado. Como resultado, demonstramos que o fator limitante para a classe F-1 a operação é a condução do diodo de porta em vez da tensão de joelho. Por outro lado, o PA classe F é restringido pelos efeitos da tensão do joelho. Além disso, medições não lineares realizadas em um GaN HEMT validam nossos resultados analíticos.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.449-456
Data de publicação
2022/10/01
Publicitada
2022/03/25
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022MMI0003
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Microwave and Millimeter-Wave Technologies)
Categoria

autores

Hiroshi YAMAMOTO
  Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Ken KIKUCHI
  Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Valeria VADALÀ
  University of Ferrara
Gianni BOSI
  University of Ferrara
Antonio RAFFO
  University of Ferrara
Giorgio VANNINI
  University of Ferrara

Palavra-chave