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Influence of the Gate Voltage or the Base Pair Ratio Modulation on the λ-DNA FET Performance Influência da tensão do portão ou da modulação da relação de pares de bases no desempenho do λ-DNA FET

Naoto MATSUO, Akira HEYA, Kazushige YAMANA, Koji SUMITOMO, Tetsuo TABEI

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Resumo:

A influência da tensão da porta ou da modulação da relação de pares de bases no desempenho do λ-DNA FET foi examinada. O resultado da modulação da tensão de porta indicou que os elétrons capturados na base guanina das moléculas de λ-DNA influenciaram grandemente a Id-Vd características, e a da modulação da razão de pares de bases indicaram que a tendência da condutividade foi parcialmente esclarecida considerando a energia de ativação de buracos e elétrons e o comprimento e números das sequências seriais AT ou GC sobre as quais os buracos ou elétrons saltaram. Além disso, a influência da dimensionalidade da molécula de DNA na condutividade foi discutida teoricamente.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E107-C No.3 pp.76-79
Data de publicação
2024/03/01
Publicitada
2023/08/08
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2023ECS6003
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Naoto MATSUO
  University of Hyogo
Akira HEYA
  University of Hyogo
Kazushige YAMANA
  University of Hyogo
Koji SUMITOMO
  University of Hyogo
Tetsuo TABEI
  Hiroshima University

Palavra-chave