A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Growth Mechanism of Polar-Plane-Free Faceted InGaN Quantum Wells
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Mecanismo de crescimento de poços quânticos InGaN facetados sem plano polar

Yoshinobu MATSUDA, Mitsuru FUNATO, Yoichi KAWAKAMI

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Resumo:

Os mecanismos de crescimento de poços quânticos InGaN facetados tridimensionalmente (3D) (QWs) em (= 1 = 12 = 2) substratos GaN são discutidos. A estrutura é composta pelos planos (=1=12=2), {=110=1} e {=1100}, e o formato da seção transversal é semelhante ao dos QWs 3D em (0001). No entanto, os QWs 3D em (=1=12=2) e (0001) mostram variações de interface bastante diferentes das composições In. Para esclarecer esta observação, as espessuras locais dos constituintes InN e GaN no GaN 3D são ajustadas com uma fórmula derivada da equação de difusão. Sugere-se que a diferença na eficiência de incorporação de cada plano cristalográfico afeta fortemente a superfície na migração do adatom.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E101-C No.7 pp.532-536
Data de publicação
2018/07/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E101.C.532
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Distinguished Papers in Photonics)
Categoria

autores

Yoshinobu MATSUDA
  Kyoto University
Mitsuru FUNATO
  Kyoto University
Yoichi KAWAKAMI
  Kyoto University

Palavra-chave