A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Kink Suppression and High Reliability of Asymmetric Dual Channel Poly-Si Thin Film Transistors for High Voltage Bias Stress Supressão de torção e alta confiabilidade de transistores de filme fino poli-Si assimétricos de canal duplo para tensão de polarização de alta tensão

Joonghyun PARK, Myunghun SHIN

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Resumo:

Transistores de película fina (TFT) de silício policristalino (poli-Si) projetados assimetricamente foram fabricados e investigados para suprimir o efeito de torção e melhorar a confiabilidade elétrica. TFT poli-Si de comprimento de canal duplo assimétrico (ADCL) mostra a melhor redução de torções e correntes de fuga. A simulação de projeto auxiliada por computador prova que ADCL pode induzir adequadamente alta tensão no nó flutuante do TFT em alta tensão de fonte de dreno (VDS), o que pode mitigar o impacto da ionização e a degradação da transcondutância do TFT apresentando alta confiabilidade sob o estresse do portador quente.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.1 pp.95-98
Data de publicação
2019/01/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E102.C.95
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Joonghyun PARK
  Sungkyunkwan University
Myunghun SHIN
  Korea Aerospace University

Palavra-chave