A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Current-Voltage Hysteresis Characteristics in MOS Capacitors with Si-Implanted Oxide Características de histerese de corrente-tensão em capacitores MOS com óxido implantado de Si

Toshihiro MATSUDA, Shinsuke ISHIMARU, Shingo NOHARA, Hideyuki IWATA, Kiyotaka KOMOKU, Takayuki MORISHITA, Takashi OHZONE

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Resumo:

Capacitores MOS com óxido térmico implantado em Si e óxido depositado em CVD de 30 nm de espessura foram fabricados para aplicações de memória não volátil e dispositivos de eletroluminescência. As características de corrente-tensão (IV) e histerese IV foram medidas, e a janela de histerese (HW) e a carga integrada de HW (ICHW) extraídas dos dados de histerese foram discutidas. As características de HW de amostras com altas doses de Si mostraram curvas assimétricas de picos duplos com protuberâncias em ambas as caudas. O ICHW quase convergiu após o 4º ciclo e teve dependência da velocidade de varredura de tensão. Todas as características +ICHW e -ICHW estavam intimamente relacionadas com a estática (+I)-(+VG) e (-I)-(-VG) curvas, respectivamente. Para as amostras de alta dose de Si, as correntes claras no IV estáticoG características contribuem para diminuir o aumento da tensão e aumentar o aumento do ICHW, que corresponde à grande carga armazenada no óxido.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.12 pp.1523-1530
Data de publicação
2009/12/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.1523
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

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Palavra-chave