A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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New Approach of Laser-SQUID Microscopy to LSI Failure Analysis
Abra o Access
Nova abordagem de microscopia Laser-SQUID para análise de falhas LSI

Kiyoshi NIKAWA, Shouji INOUE, Tatsuoki NAGAISHI, Toru MATSUMOTO, Katsuyoshi MIURA, Koji NAKAMAE

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Resumo:

Propusemos e demonstramos com sucesso um método de duas etapas para localizar defeitos em um chip LSI. A primeira etapa é igual à imagem convencional do SQUID a laser (L-SQUID), onde um SQUID e um feixe de laser são fixados durante a digitalização do chip LSI. A segunda etapa é uma nova imagem L-SQUID onde um feixe de laser permanece no ponto, localizado nos resultados da primeira etapa, durante a digitalização do SQUID. Na segunda etapa, um tamanho SQUID (Aef) e a distância entre o SQUID e o chip LSI (ΔZ) são fatores-chave que limitam a resolução espacial. Para melhorar a resolução espacial, desenvolvemos um micro-SQUID e a câmara de vácuo que abriga tanto o micro-SQUID quanto o chip LSI. O Aef do micro-SQUID é mil do de um SQUID convencional. O valor mínimo de ΔZ foi reduzido com sucesso para 25 µm colocando o micro-SQUID e um chip LSI na mesma câmara de vácuo. A resolução espacial na segunda etapa foi de 53 µm. A demonstração da localização real de defeitos complicados foi bem-sucedida e este resultado sugere que o método de localização em duas etapas é útil para análise de falhas LSI.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.3 pp.327-333
Data de publicação
2009/03/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.327
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Recent Progress in Superconducting Analog Devices and Their Applications)
Categoria

autores

Palavra-chave