A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Application of the Compact Channel Thermal Noise Model of Short Channel MOSFETs to CMOS RFIC Design Aplicação do modelo de ruído térmico de canal compacto de MOSFETs de canal curto ao projeto CMOS RFIC

Jongwook JEON, Ickhyun SONG, Jong Duk LEE, Byung-Gook PARK, Hyungcheol SHIN

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Resumo:

Neste artigo, um modelo de ruído térmico de canal compacto para MOSFETs de canal curto é apresentado e aplicado ao projeto de circuito integrado de radiofrequência (RFIC). Com base na análise da relação entre diferentes efeitos de canal curto, como efeito de saturação de velocidade (VSE), modulação de comprimento de canal (CLM) e efeito de aquecimento da portadora (CHE), o modelo compacto para o ruído térmico do canal foi derivado analiticamente como um formulário simples. Para simular as características de ruído do MOSFET em simuladores de circuitos, é proposta uma metodologia apropriada. O modelo de ruído compacto utilizado é verificado comparando os resultados simulados com os dados medidos no nível do dispositivo e do circuito usando tecnologias CMOS de 65 nm e 130 nm, respectivamente.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.627-634
Data de publicação
2009/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.627
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
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