A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Data Analysis Technique of Atomic Force Microscopy for Atomically Flat Silicon Surfaces Técnica de análise de dados de microscopia de força atômica para superfícies de silício atomicamente planas

Masahiro KONDA, Akinobu TERAMOTO, Tomoyuki SUWA, Rihito KURODA, Tadahiro OHMI

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Resumo:

Foi desenvolvida uma tecnologia de análise de dados de microscopia de força atômica para superfícies de silício atomicamente planas. Superfícies de silício atomicamente planas compostas de terraços atômicos e degraus são obtidas em wafers de orientação (100) de 200 mm de diâmetro por recozimento em ambiente de argônio puro a 1,200 por 30 minutos. Superfícies de silício atomicamente planas são levadas a melhorar a mobilidade da camada de inversão MOS e a dirigibilidade de corrente dos MOSFETs e a diminuir as flutuações nas características elétricas dos MOSFETs. É importante realizar a tecnologia que avalia a planicidade e a uniformidade de superfícies de silício atomicamente planas. O ângulo de direção fora é calculado usando duas linhas retas selecionadas a partir dos dados de medição. E o ângulo de saída é calculado a partir da largura média do terraço atômico, assumindo que a diferença de altura entre os terraços vizinhos é igual à altura do degrau, 0.135 nm, da superfície de silício (100). A análise da planicidade de cada terraço pode ser realizada convertendo os dados de medição usando o ângulo de direção e o ângulo de saída. E a rugosidade média de cada terraço é de cerca de 0.017-0.023 nm. Portanto, a rugosidade e a uniformidade de cada terraço podem ser avaliadas por esta técnica proposta.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.664-670
Data de publicação
2009/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.664
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
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Palavra-chave