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Comparisons of SiN Passivation Film Deposited by PE-CVD and T-CVD Method for AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate Comparações do filme de passivação SiN depositado pelos métodos PE-CVD e T-CVD para HEMTs AlGaN/GaN em substrato SiC

Hideyuki OKITA, Toshiharu MARUI, Shinichi HOSHI, Masanori ITOH, Fumihiko TODA, Yoshiaki MORINO, Isao TAMAI, Yoshiaki SANO, Shohei SEKI

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Resumo:

O fenômeno do colapso atual é um obstáculo bem conhecido nos HEMTs AlGaN/GaN. A fim de melhorar a estabilidade superficial dos HEMTs, investigamos o filme de passivação SiN depositado por T-CVD e descobrimos que ele melhora tanto a corrente de fuga da porta quanto o fenômeno de colapso de corrente [1]. Além disso, comparamos os filmes de passivação T-CVD e PE-CVD, em características de alto campo elétrico DC e RF. Descobrimos que o filme de passivação T-CVD SiN melhora BVds-WOW! em 30% devido à redução da corrente de fuga da porta. Também melhorou ηd nas características de potência de saída por medição load-pull, o que indica a diminuição do fenômeno de colapso de corrente. Também fabricamos um HEMT AlGaN/GaN de classe 50 W com vários dedos com filme de passivação SiN T-CVD e alcançamos 61.2% de alta eficiência de drenagem na frequência de 2.14 GHz, que foi 3.6 pontos maior do que com filme de passivação SiN PE-CVD .

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.686-690
Data de publicação
2009/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.686
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
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