A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures Simulação de resistividade de contato de tunelamento em heteroestruturas não polares de AlGaN/GaN

Hironari CHIKAOKA, Yoichi TAKAKUWA, Kenji SHIOJIMA, Masaaki KUZUHARA

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Resumo:

Avaliamos a resistividade de contato de tunelamento com base no cálculo numérico da densidade de corrente de tunelamento através de uma camada de barreira de AlGaN em heteroestruturas não polares de AlGaN / GaN. A fim de reduzir a resistividade de contato do tunelamento, introduzimos um n+-AoXGa1 - XN camada entre um n +-Camada de cobertura GaN e uma camada de barreira i-AlGaN. A resistividade de contato do tunelamento foi otimizada variando a composição de Al e a concentração do doador em n+-AoXGa1-XN. Os resultados da simulação mostram que a resistividade de contato de tunelamento pode ser melhorada em até 4 ordens de grandeza, em comparação com a heteroestrutura AlGaN/GaN padrão.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.691-695
Data de publicação
2009/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.691
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
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