A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Spectral Narrowing Effect of a Novel Super-Grating Dual-Gate Structure for Plasmon-Resonant Terahertz Emitter Efeito de estreitamento espectral de uma nova estrutura de porta dupla de super-grade para emissor terahertz ressonante de plasmon

Takuya NISHIMURA, Nobuhiro MAGOME, HyunChul KANG, Taiichi OTSUJI

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Propusemos um emissor terahertz (THz) utilizando plasmons bidimensionais (2DPs) em um transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT) de super-rede de porta dupla (SGG). O plasmon sob cada porta de grade tem uma característica única: sua frequência de ressonância é determinada pela velocidade da onda de plasma ao longo do comprimento da porta. Como a tensão de polarização do dreno causa uma inclinação linear do potencial da fonte para a área de drenagem, as densidades eletrônicas da folha em cavidades 2DP distribuídas periodicamente são dispersas. Como resultado, todas as frequências ressonantes são dispersas e ocorre um alargamento espectral indesejável. Uma estrutura SGG pode compensar a distribuição da densidade eletrônica da folha modulando a dimensão da rede. A simulação no domínio do tempo de diferenças finitas confirma seu efeito de estreitamento espectral. Dentro de uma ampla faixa de dessintonização para as tensões de polarização de gate e dreno, proporcionando uma mudança de frequência de 0.5 THz a partir de uma condição ideal, a estrutura SGG pode preservar o efeito de estreitamento espectral.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.696-701
Data de publicação
2009/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.696
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria

autores

Palavra-chave