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Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs Análise dos efeitos do estresse induzido por filme de passivação nas propriedades elétricas em HEMTs AlGaN/GaN

Naoteru SHIGEKAWA, Suehiro SUGITANI

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Resumo:

Os efeitos da tensão em filmes de passivação nas propriedades elétricas de (0001) AlGaN / GaN HEMTs são analisados ​​numericamente na estrutura do modelo de força de borda com características anisotrópicas nas propriedades elásticas dos nitretos do grupo III explicitamente consideradas. Tensões compressivas práticas em filmes de passivação induzem cargas piezoelétricas negativas abaixo das portas e produzem tensões de limiar mais rasas de alguns volts. Além disso, a mudança na tensão limite devido à tensão de compressão é proporcional a LG-1.1-1.5 com comprimento do portão LG, o que é comparável à expectativa baseada no esquema de saldo de encargos. Estes resultados sugerem que os filmes de passivação com tensão projetada podem desempenhar um papel crucial na realização de HEMTs AlGaN / GaN com tensões de limiar rasas ou positivas.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1212-1217
Data de publicação
2010/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1212
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
Categoria
Dispositivos baseados em GaN

autores

Palavra-chave