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Buffer Layer Doping Concentration Measurement Using VT-VSUB Characteristics of GaN HEMT with p-GaN Substrate Layer Medição da concentração de dopagem da camada tampão usando VT-VSUB Características do GaN HEMT com camada de substrato p-GaN

Cheng-Yu HU, Katsutoshi NAKATANI, Hiroji KAWAI, Jin-Ping AO, Yasuo OHNO

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Resumo:

Para melhorar o desempenho de alta tensão dos transistores de efeito de campo de heterojunção AlGaN/GaN (HFETs), fabricamos HFETs AlGaN/GaN com epi-camada p-GaN em substrato de safira com um contato ôhmico para o p-GaN (p-sub HFET) . Variação da tensão limite dependente da polarização do substrato (VT-VSUB) foi usado para determinar diretamente o perfil de concentração de dopagem na camada tampão. Esse VT-VSUB O método foi desenvolvido a partir de Si MOSFET. Para HFETs, o isolador é formado por uma camada semicondutora heterogênea e cultivada epitaxialmente, enquanto para MOSFETs de Si o isolador é SiO amorfo2. Exceto que os HFETs têm maior mobilidade de canal devido à interface isolante/semicondutor epitaxial, os HFETs e os MOSFETs de Si são basicamente os mesmos no que diz respeito à física do dispositivo. Com base nestas considerações, a viabilidade deste VT-VSUB método para HFETs AlGaN / GaN foi discutido. No final, a concentração de dopagem da camada tampão foi medida em 21017 cm-3, tipo p, que é bem consistente com a concentração de Mg obtida a partir da medição por espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1234-1237
Data de publicação
2010/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1234
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
Categoria
Dispositivos baseados em GaN

autores

Palavra-chave