A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Theoretical Study on Performance Limit of Cutoff Frequency in Nano-Scale InAs HEMTs Based on Quantum-Corrected Monte Carlo Method Estudo teórico sobre o limite de desempenho da frequência de corte em HEMTs InAs em nanoescala com base no método de Monte Carlo com correção quântica

Takayuki TAKEGISHI, Hisanao WATANABE, Shinsuke HARA, Hiroki I. FUJISHIRO

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Estudamos teoricamente os limites de desempenho da frequência de corte do ganho de corrente, fT, para os HEMTs com InAs ou In0.70Ga0.30Como camadas intermediárias nos canais de poços multiquânticos (MQW) por meio do método Monte Carlo (MC) com correção quântica. Calculamos a distribuição do tempo de atraso ao longo do canal, τ(x) e definir o comprimento efetivo da porta, Lg,ef, como o comprimento correspondente a τ(x). Ao extrapolar Lg,ef para Lg = 0 nm, estimamos o limite inferior de Lg,ef, Lg(0),ef. Então estimamos o limite de desempenho de fT, fT(0), extrapolando fT para Lg,ef(0). O estimado fT(0) são cerca de 3.6 e 3.7 THz para os HEMTs com camadas intermediárias InAs de 5 e 8 nm de espessura, e cerca de 3.0 THz para o HEMT com In0.70Ga0.30Como camada intermediária de 8 nm de espessura, respectivamente. Quanto mais alto fT(0) nos HEMTs com camadas intermediárias InAs são atribuídos ao aumento da velocidade média do elétron, υd, no canal. Estes resultados indicam o potencial superior dos HEMTs utilizando InAs nos canais. O HEMT com camada intermediária InAs de 8 nm de espessura mostra a maior fT na condição do mesmo Lg por causa de seu υ mais altod. No entanto, o aumento da espessura total do canal resulta em maior comprimento Lg,ef(0), o que leva à restrição de fT(0). Portanto, para aumentar fT(0), é essencial fazer Lg,ef curto, além de fazer υd alto. Nossos resultados incentivam fortemente o esforço para desenvolver os HEMTs que operam na região dos terahertz.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1258-1265
Data de publicação
2010/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1258
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
Categoria
Dispositivos e circuitos de alta velocidade III-V

autores

Palavra-chave