A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Modulation-Doped Heterostructure-Thermopiles for Uncooled Infrared Image-Sensor Application Heteroestruturas-termopilhas dopadas com modulação para aplicação de sensor de imagem infravermelho não resfriado

Masayuki ABE

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Novas termopilhas baseadas em heteroestruturas AlGaAs/InGaAs, AlGaN/GaN e ZnMgO/ZnO dopadas com modulação são propostas e projetadas pela primeira vez, para aplicação em sensores de imagem infravermelha não resfriados. Espera-se que esses dispositivos ofereçam alto desempenho devido ao coeficiente Seebeck superior e à mobilidade excelentemente alta de 2DEG e 2DHG devido às camadas de canal de alta pureza na interface de heterojunção. A termopilha AlGaAs/InGaAs tem a figura de mérito Z tão grande quanto 1.110-2/K (ZT = 3.3 sobre a unidade em T = 300 K), e pode ser realizado com alta responsividade R de 15,200 V/W e alta detectividade D* de 1.8109 cmHz1/2/W com potencialidade de baixo custo não refrigerado. As termopilhas AlGaN/GaN e ZnMgO/ZnO têm as vantagens de alta concentração de portadores de folhas devido aos seus grandes efeitos de carga de polarização (cargas de polarização espontânea e piezo), bem como de um alto coeficiente de Seebeck devido ao seu forte efeito de arrasto de fônons. O tempo de resposta de alta velocidade τ de 0.9 ms com AlGaN/GaN, e também o menor custo com termopilhas de ZnMgO/ZnO podem ser alcançados. Espera-se que as termopilhas de heteroestrutura dopadas com modulação apresentadas aqui sejam usadas para aplicações de sensores de imagem infravermelha não resfriados e para integrações monolíticas com outros detectores de fótons, como fotodiodos InGaAs, GaN e ZnO PiN, bem como dispositivos de circuito integrado funcional HEMT.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1302-1308
Data de publicação
2010/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1302
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
Categoria
Dispositivos de heteroestrutura III-V

autores

Palavra-chave