A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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InP-Based Unipolar Heterostructure Diode for Vertical Integration, Level Shifting, and Small Signal Rectification Diodo de heteroestrutura unipolar baseado em InP para integração vertical, mudança de nível e retificação de pequenos sinais

Werner PROST, Dudu ZHANG, Benjamin MUNSTERMANN, Tobias FELDENGUT, Ralf GEITMANN, Artur POLOCZEK, Franz-Josef TEGUDE

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Resumo:

Um diodo de heteroestrutura unipolar nn é desenvolvido no sistema de material InP. A barreira eletrônica é formada por uma curvatura de banda de condução do tipo dente de serra que consiste em um In quaternário.0.52(AlyGa1-s)0.48Como camada com 0 y < ymax. Esta barreira é compatível com todos y para InP e está embutido entre dois n+-Camadas InGaAs. Variando o teor máximo de Al de ymax,1 = 0.7 a ymax,2 = 1 é formada uma altura de barreira variável que permite um tipo de diodo IV característica pelo design epitaxial com uma densidade de corrente ajustável dentro de 3 ordens de grandeza. A alta densidade de corrente do diodo com a altura de barreira mais baixa (ymax,1 = 0.7) o torna adequado para aplicações de alta frequência com baixos níveis de sinal. As medições de RF revelam um índice de velocidade de 52 ps/V em VD = 0.15 V. O dispositivo é investigado para conversão de energia RF em CC em transponders RFID UHF com sinais de RF de baixa amplitude.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1309-1314
Data de publicação
2010/08/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1309
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
Categoria
Dispositivos de heteroestrutura III-V

autores

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