A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Effects of Rapid Thermal Annealing on Poly-Si TFT with Different Gate Oxide Thickness Efeitos do recozimento térmico rápido em TFT Poly-Si com diferentes espessuras de óxido de porta

Ching-Lin FAN, Yi-Yan LIN, Yan-Hang YANG, Hung-Che CHEN

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Resumo:

As propriedades elétricas de transistores de filme fino (TFTs) de poli-Si usando recozimento térmico rápido com várias espessuras de óxido de porta foram estudadas neste trabalho. Verificou-se que as características elétricas do Poly-Si TFT com a espessura de óxido de porta mais fina após o tratamento com RTA exibem a maior melhoria de desempenho em comparação com o TFT com óxido espesso como resultado do aumento das quantidades incorporadas de nitrogênio e oxigênio. Assim, os efeitos combinados podem manter as vantagens e evitar as desvantagens do óxido em escala reduzida, que é adequado para produção em massa de displays de pequeno a médio porte.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.1 pp.151-153
Data de publicação
2010/01/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.151
Tipo de Manuscrito
LETTER
Categoria
Displays eletrônicos

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