A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Highly Reliable and Drivability-Enhanced MOS Transistors with Rounded Nanograting Channels Transistores MOS altamente confiáveis ​​e com dirigibilidade aprimorada com canais nanogranados arredondados

Takashi ITO, Xiaoli ZHU, Shin-Ichiro KUROKI, Koji KOTANI

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Resumo:

A estrutura do canal MOSFET de nanogrades foi otimizada simplesmente arredondando os cantos das nanogrades. As atuais dirigibilidades dos MOSFETs de canal nanograting otimizados foram aprimoradas em cerca de 20% e 50% para MOSFETs de canal n e canal p, respectivamente. As mudanças de mobilidade foram analisadas com base na tensão do canal, bem como na mudança teórica das mobilidades por várias orientações de superfície. A tensão de compressão interna de 0.23% foi medida no canal. Ao suprimir o aumento do campo elétrico na borda do canto do canal de nanogração para menos de 10%, os MOSFETs de nanogração arredondados fabricados alcançaram vidas úteis de NBTI e TDDB tão longas quanto as dos dispositivos planares convencionais.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.11 pp.1638-1644
Data de publicação
2010/11/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1638
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

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Palavra-chave