A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Mixed-Mode Extraction of Figures of Merit for InGaAs Quantum-Well Lasers and SiGe Low-Noise Amplifiers Extração de figuras de mérito em modo misto para lasers InGaAs Quantum-Well e amplificadores SiGe de baixo ruído

Hsien-Cheng TSENG, Jibin HORNG, Chieh HU, Seth TSAU

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Propomos uma nova abordagem de extração de parâmetros baseada em um algoritmo genético (AG) de modo misto, incluindo a separação eficiente do espaço de busca e o processo de prevenção de convergência de mínimos locais. A técnica, substancialmente ampliada do nosso trabalho anterior, permite as figuras de mérito projetadas, como a eficiência quântica interna (ηi), bem como densidade de corrente de transparência (Jtr) de lasers e figura de ruído mínimo (NFminutos) bem como o ganho disponível associado (GA, associado) de amplificadores de baixo ruído (LNAs), extraídos por uma metodologia analítica baseada em equações combinada com uma ferramenta numérica evolutiva. Os resultados de extração, que concordam bem com os dados realmente medidos, tanto para lasers de poços quânticos InGaAs de última geração quanto para LNAs SiGe avançados são apresentados pela primeira vez para demonstrar esta análise multiparâmetro e otimização de alta precisão.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.11 pp.1645-1647
Data de publicação
2010/11/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1645
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Materiais e dispositivos semicondutores

autores

Palavra-chave