A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A High PSRR Bandgap Voltage Reference with Virtually Diode-Connected MOS Transistors Uma referência de alta tensão de bandgap PSRR com transistores MOS virtualmente conectados por diodo

Kianoush SOURI, Hossein SHAMSI, Mehrshad KAZEMI, Kamran SOURI

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Este artigo apresenta uma referência de tensão que utiliza transistores MOS conectados virtualmente por diodo, polarizados na região de inversão fraca. A arquitetura proposta aumenta o ganho do circuito de feedback que consequentemente reduz a sensibilidade do sistema e, consequentemente, melhora o PSRR. O circuito é projetado e simulado em tecnologia CMOS padrão de 0.18 µm. Os resultados da simulação em HSPICE indicam a operação bem-sucedida do circuito da seguinte forma: o PSRR na frequência DC é de 86 dB e para a faixa de temperatura de -55C a 125C, a variação da tensão de referência de saída é inferior a 66 ppm/C.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.12 pp.1708-1712
Data de publicação
2010/12/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1708
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

autores

Palavra-chave