A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A Low Power and Area Scalable High Voltage Switch Technique for Low Operation Voltage in MLC NAND Flash Memory Uma técnica de comutação de alta tensão escalonável de baixa potência e área para baixa tensão de operação em memória flash MLC NAND

Myounggon KANG, Ki-Tae PARK, Youngsun SONG, Sungsoo LEE, Yunheub SONG, Young-Ho LIM

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Uma nova técnica de operação de baixa tensão de comutação de alta tensão, que é capaz de reduzir a corrente de fuga em uma ordem de três em comparação com circuitos convencionais, foi desenvolvida para memória flash NAND móvel de baixa tensão abaixo de 1.8 V. Além disso, usando a chave de alta tensão proposta, o dimensionamento do tamanho do chip pode ser realizado devido à redução do espaço mínimo necessário entre os N poços de blocos selecionados e não selecionados para isolamento. O esquema proposto é essencial para obter memória Flash NAND de operação com baixo consumo de energia, especialmente para eletrônicos móveis.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.2 pp.182-186
Data de publicação
2010/02/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.182
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

autores

Palavra-chave