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Investigation of Adjustable Current-Voltage Characteristics and Hysteresis Phenomena for Multiple-Peak Negative Differential Resistance Circuit Investigação de características de corrente-tensão ajustáveis ​​e fenômenos de histerese para circuito de resistência diferencial negativa de pico múltiplo

Kwang-Jow GAN, Dong-Shong LIANG

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Resumo:

Um circuito de resistência diferencial negativa de pico múltiplo (NDR) feito de transistor de efeito de campo (MOS) semicondutor de óxido metálico baseado em Si padrão e transistor bipolar de heterojunção (HBT) baseado em SiGe é demonstrado. Podemos obter uma curva IV de três picos conectando três circuitos MOS-HBT-NDR em casco, projetando adequadamente os parâmetros MOS. Este novo circuito NDR de três picos possui características de corrente-tensão ajustáveis ​​e alta relação de corrente pico-vale (PVCR). Podemos ajustar os valores de PVCR para até 11.5, 6.5 e 10.3 para três picos, respectivamente. Como o circuito NDR é um elemento não linear muito forte, discutimos os fenômenos de histerese extrínseca neste circuito NDR de múltiplos picos. O efeito da resistência em série nos fenômenos de histerese também é investigado. Nosso projeto e fabricação do circuito NDR são baseados no processo SiGe BiCMOS padrão de 0.35 µm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.4 pp.514-520
Data de publicação
2010/04/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.514
Tipo de Manuscrito
PAPER
Categoria
Circuitos eletrônicos

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Palavra-chave