A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET Estudo sobre Eletrodinâmica Quântica em MOSFET Vertical

Masakazu MURAGUCHI, Tetsuo ENDOH

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Estudamos a propriedade de transmissão do elétron no MOSFET vertical (V-MOSFET) do ponto de vista da eletrodinâmica quântica. Para obter a imagem intuitiva da propriedade de transmissão de elétrons através do canal do V-MOSFET, resolvemos a equação de Schrodinger dependente do tempo no espaço real, empregando o método do operador dividido. Injetamos um pacote de ondas eletrônicas no corpo do V-MOSFET vindo da fonte e traçamos o desenvolvimento temporal da função das ondas eletrônicas no corpo e na região de drenagem. Mostramos com sucesso que a função de onda do elétron se propaga através dos estados ressonantes do potencial do corpo. Nossas abordagens sugeridas abrem a discussão quantitativa e intuitiva para a dinâmica da portadora no V-MOSFET no limite quântico.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.552-556
Data de publicação
2010/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.552
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria
Dispositivos emergentes

autores

Palavra-chave