A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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InP Gunn Diodes with Current Limiting Contact for High Efficiency Gunn Oscillators Diodos Gunn InP com contato limitador de corrente para osciladores Gunn de alta eficiência

Mi-Ra KIM, Jin-Koo RHEE, Chang-Woo LEE, Yeon-Sik CHAE, Jae-Hyun CHOI, Wan-Joo KIM

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Resumo:

Fabricamos e examinamos o efeito de limitação de corrente para diodos InP Gunn com operação estável no modo de camada de depleção de diodos para osciladores Gunn de alta eficiência. A limitação da corrente no cátodo foi conseguida por uma barreira Schottky rasa na interface. Discutimos o procedimento de fabricação, os resultados para resistência diferencial negativa e testes de RF para diodos InP Gunn. Foi demonstrado que os diodos Gunn fabricados têm potência de saída de 10.22 dBm na frequência de 90.13 GHz. Sua tensão de entrada e corrente correspondente foram 8.55 V e 252 mA, respectivamente.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.585-589
Data de publicação
2010/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.585
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria
Dispositivos Semicondutores Compostos

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