A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Simulation Study on Dependence of Channel Potential Self-Boosting on Device Scale and Doping Concentration in 2-D and 3-D NAND-Type Flash Memory Devices Estudo de simulação sobre a dependência do potencial de auto-aumento do canal na escala do dispositivo e concentração de doping em dispositivos de memória flash tipo NAND 2-D e 3-D

Seongjae CHO, Jung Hoon LEE, Yoon KIM, Jang-Gn YUN, Hyungcheol SHIN, Byung-Gook PARK

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Resumo:

Ao realizar a operação do programa da matriz de memória flash tipo NAND, a célula inibida pelo programa é aplicada por uma tensão positiva na porta, ou seja, linha de palavra (WL) no canal flutuante enquanto a célula do programa é aplicada pela tensão do programa. já que as duas extremidades, linha de seleção de drenagem (DSL) e linha de seleção de fonte (SSL), são ligadas com linha de bits aterrada (BL). Desta forma, é possível o auto-reforço do canal de silício para evitar operações indesejadas do programa. À medida que o dispositivo de memória flash é agressivamente reduzido e a concentração de dopagem do canal é aumentada de acordo, os fenômenos de acoplamento entre WL, porta flutuante (FG)/nó de armazenamento e canal de silício, que são fatores cruciais no esquema de auto-reforço, devem ser investigado mais detalhadamente. Neste trabalho, as dependências do auto-reforço do potencial do canal no comprimento do canal e na concentração de dopagem nos dispositivos de memória flash tipo NAND planar convencional 2-D e 3-D FinFET baseados em silício em massa são investigadas por ambos 2-D e Simulações de dispositivos numéricos 3-D. Como dificilmente existem formas realistas de medir o potencial do canal por sondagem física, acredita-se que a série de trabalhos de simulação ofereça insights práticos na variação do potencial do canal dentro de um dispositivo de memória flash.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.596-601
Data de publicação
2010/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.596
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria
Memória Flash/Avançada

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Palavra-chave