A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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On-Chip Charged Device Model ESD Protection Design Method Using Very Fast Transmission Line Pulse System for RF ICs Modelo de dispositivo carregado no chip Método de projeto de proteção ESD usando sistema de pulso de linha de transmissão muito rápido para ICs de RF

Jae-Young PARK, Jong-Kyu SONG, Dae-Woo KIM, Chang-Soo JANG, Won-Young JUNG, Taek-Soo KIM

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Resumo:

Um método de proteção ESD de modelo de dispositivo carregado (CDM) no chip para ICs de RF é proposto em um processo de RF de 0.13 µm e avaliado usando um sistema de pulso de linha de transmissão muito rápido (vf-TLP). Principais parâmetros de projeto, como tensão de disparo (Vt1) e a tensão de ruptura de óxido da medição vf-TLP são usadas para projetar circuitos de proteção ESD de entrada para um chip de teste de RF. A caracterização e o comportamento de um retificador controlado por silício acionado por baixa tensão (SCR) usado para proteção contra ESD sob medições vf-TLP também são relatados. Os resultados medidos pelo sistema vf-TLP mostraram que a tensão de disparo diminuiu e a segunda corrente de ruptura aumentou em comparação com os resultados medidos por um sistema TLP padrão de 100 ns. A partir dos testes HBM/CDM, o chip de teste de RF atendeu com sucesso ao nível de resistência ESD de RF solicitado, HBM 1 kV, MM 100 V e CDM 500 V.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.625-630
Data de publicação
2010/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.625
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Categoria
Dispositivos analógicos/RF

autores

Palavra-chave