A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Estimation of Collector Current Spreading in InGaAs SHBT Having 75-nm-Thick Collector Estimativa da propagação da corrente do coletor em InGaAs SHBT com coletor de 75 nm de espessura

Yasuyuki MIYAMOTO, Shinnosuke TAKAHASHI, Takashi KOBAYASHI, Hiroyuki SUZUKI, Kazuhito FURUYA

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Resumo:

Nós investigamos o espalhamento da corrente de coletor em transistores bipolares de heterojunção única (SHBTs) InGaAs com uma espessura de coletor de 75 nm. Os SHBTs foram fabricados com três larguras de emissor diferentes – 200, 400 e 600 nm – e a maior frequência de corte obtida foi 468 GHz. A relação entre a densidade de corrente na frequência de corte mais alta e a largura do emissor não pôde ser usada para estimar o espalhamento da corrente porque era independente da tensão base do coletor. Porém, a relação entre a densidade de corrente com o aumento da capacitância total coletor-base e a largura do emissor indica espalhamento de corrente no coletor. O espalhamento atual foi estimado em aproximadamente 90 nm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.644-647
Data de publicação
2010/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.644
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Dispositivos Semicondutores Compostos

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