A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Enhancement of the Programming Speed in SANOS Nonvolatile Memory Device Designed Utilizing Al2O3 and SiO2 Stacked Tunneling Layers Aprimoramento da velocidade de programação no dispositivo de memória não volátil SANOS projetado utilizando Al2O3 e SiO2 Camadas de túnel empilhadas

Hyun Woo KIM, Dong Hun KIM, Joo Hyung YOU, Tae Whan KIM

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Resumo:

As características de programação de dispositivos de memória não volátil de polissilício-óxido de alumínio-nitreto-óxido-silício (SANOS) com Al2O3 e SiO2 camadas de tunelamento empilhadas foram investigadas. O elétron e o buraco flutuam no Si3N4 camada foram calculadas para determinar a velocidade do programa dos dispositivos SANOS propostos. Os resultados da simulação mostraram que o aumento da velocidade de programação no SANOS foi alcançado através da utilização de SiO2 e Al2O3 camadas de tunelamento empilhadas.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.651-653
Data de publicação
2010/05/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.651
Tipo de Manuscrito
BRIEF PAPER
Categoria
Dispositivos de memória

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