A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Analysis of Phase Noise Degradation Considering Switch Transistor Capacitances for CMOS Voltage Controlled Oscillators Análise da degradação do ruído de fase considerando capacitâncias de transistores chaveados para osciladores controlados por tensão CMOS

Rui MURAKAMI, Shoichi HARA, Kenichi OKADA, Akira MATSUZAWA

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Resumo:

Neste artigo apresentamos um estudo sobre a otimização do projeto de osciladores controlados por tensão. O ruído de fase dos osciladores do tipo LC é basicamente limitado pelo fator de qualidade dos indutores. Foi demonstrado experimentalmente que indutores de Q mais alto podem ser alcançados em frequências mais altas, enquanto a frequência de oscilação é limitada por capacitâncias parasitas. Neste artigo, o tamanho mínimo do transistor e a degradação do fator de qualidade causado por um arranjo de capacitores chaveados são estimados analiticamente, e a frequência máxima de oscilação dos VCOs também é derivada de um circuito equivalente, considerando capacitâncias parasitas. De acordo com a avaliação analítica, o ruído de fase de um VCO usando um CMOS de 65 nm é 2 dB melhor que o de um CMOS de 180 nm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.6 pp.777-784
Data de publicação
2010/06/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.777
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies)
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Palavra-chave