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A 0.13 µm CMOS Bluetooth EDR Transceiver with High Sensitivity over Wide Temperature Range and Immunity to Process Variation Um transceptor CMOS Bluetooth EDR de 0.13 µm com alta sensibilidade em ampla faixa de temperatura e imunidade à variação do processo

Kenichi AGAWA, Shinichiro ISHIZUKA, Hideaki MAJIMA, Hiroyuki KOBAYASHI, Masayuki KOIZUMI, Takeshi NAGANO, Makoto ARAI, Yutaka SHIMIZU, Asuka MAKI, Go URAKAWA, Tadashi TERADA, Nobuyuki ITOH, Mototsugu HAMADA, Fumie FUJII, Tadamasa KATO, Sadayuki YOSHITOMI, Nobuaki OTSUKA

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Resumo:

Um transceptor CMOS LSI de 2.4 GHz e 0.13 µm, compatível com o padrão Bluetooth V2.1 + taxa de dados aprimorada (EDR), alcançou uma alta sensibilidade de recepção e sinais de transmissão de alta qualidade entre -40 E + 90. Um receptor de baixo FI e uma arquitetura de transmissor de conversão direta são empregados. Uma cadeia receptora com compensação de temperatura, incluindo um amplificador de baixo ruído, atinge uma sensibilidade de -90 dBm na modulação de mudança de frequência, mesmo nas piores condições ambientais. A otimização do projeto do ruído de fase em um oscilador local e a linearidade de um amplificador de potência melhoram os sinais de transmissão e permitem que eles atendam às especificações de rádio Bluetooth. A fabricação em CMOS em escala de 0.13 µm e a operação em baixa tensão de alimentação de 1.5 V resultam em área pequena e baixo consumo de energia.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.6 pp.803-811
Data de publicação
2010/06/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.803
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies)
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