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Distortion Compensation for Thermal Memory Effect on InGaP/GaAs HBT Amplifier by Inserting RC-Ladder Circuit in Base Bias Circuit Compensação de distorção para efeito de memória térmica no amplificador InGaP/GaAs HBT por inserção RC-Circuito Ladder no Circuito Base Bias

Ryo ISHIKAWA, Junichi KIMURA, Yukio TAKAHASHI, Kazuhiko HONJO

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Resumo:

Um método de compensação de distorção de intermodulação (IMD) para efeito de memória térmica usando um multiestágio RCcircuito -ladder foi proposto. O IMD causado pelo efeito de memória térmica em um amplificador InGaP/GaAs HBT foi compensado pela inserção de um amplificador multiestágio RCcircuito -ladder no circuito de polarização de base do amplificador. Como o fluxo de calor devido ao autoaquecimento no transistor pode ser aproximado com um sistema térmico de múltiplos estágios RC-circuito escada, o cancelamento do IMD por um efeito de memória elétrica adicional gerado a partir do RC- circuito de escada é previsto. Os efeitos de memória causam características assimétricas entre o IMD superior e inferior. O IMD causado pelos efeitos de memória é expresso como uma soma vetorial de cada origem. Ao ajustar uma característica de reatância elétrica para subharmônicos afetados pelo efeito de memória térmica no circuito amplificador, a característica assimétrica é simetrizada. Os parâmetros do RC-circuito em escada foram estimados para que a característica de reatância elétrica ajustada seja reproduzida na simulação. Um amplificador HBT InGaP / GaAs fabricado com o circuito de compensação de efeito de memória térmica exibiu características IMD simetrizadas e suprimidas.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.7 pp.958-965
Data de publicação
2010/07/01
Publicitada
ISSN online
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.958
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Recent Progress in Microwave and Millimeter-Wave Technologies)
Categoria

autores

Palavra-chave