A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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High-Frequency Device-Modeling Techniques for RF-CMOS Circuits Técnicas de modelagem de dispositivos de alta frequência para circuitos RF-CMOS

Ryuichi FUJIMOTO, Osamu WATANABE, Fumie FUJII, Hideyuki KAWAKITA, Hiroshi TANIMOTO

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Resumo:

São descritas técnicas simples e escalonáveis ​​de modelagem de dispositivos para indutores e capacitores. Todos os parâmetros do modelo são calculados a partir de parâmetros geométricos do dispositivo, parâmetros de processo da tecnologia e um parâmetro de resistência do substrato. Técnicas de modelagem para outros dispositivos, como resistores, diodos varactores, pads e MOSFETs, também são descritas. Alguns resultados de simulação utilizando as técnicas de modelagem de dispositivos propostas são comparados com resultados medidos e indicam adequação das técnicas de modelagem de dispositivos propostas.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E84-A No.2 pp.520-528
Data de publicação
2001/02/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section on Analog Circuit Techniques Supporting the System LSI Era)
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