A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Circuit Simulation Models for Coming MOSFET Generations Modelos de simulação de circuito para as próximas gerações de MOSFET

Mitiko MIURA-MATTAUSCH, Hiroaki UENO, Hans Juergen MATTAUSCH, Shigetaka KUMASHIRO, Tetsuya YAMAGUCHI, Kyoji YAMASHITA, Noriaki NAKAYAMA

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Resumo:

As tarefas urgentes da modelagem MOSFET para simulação de circuitos são a fácil adaptação a novos fenômenos físicos que surgem para o avanço das tecnologias e, é claro, precisão de simulação suficiente. As abordagens atualmente adotadas para o desenvolvimento de tais modelos MOSFET são resumidas. São discutidas suas capacidades para realizar essas tarefas, bem como os importantes problemas remanescentes. O foco principal é dado ao modelo HiSIM, o primeiro modelo comumente disponível baseado na aproximação de deriva-difusão desenvolvida para nó de tecnologia MOSFET de 0.10 µm.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E85-A No.4 pp.740-748
Data de publicação
2002/04/01
Publicitada
ISSN online
DOI
Tipo de Manuscrito
Special Section PAPER (Special Section of Selected Papers from the 14th Workshop on Circuits and Systems in Karuizawa)
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