A funcionalidade de pesquisa está em construção.
A funcionalidade de pesquisa está em construção.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A 26-GHz-Band High Back-Off Efficiency Stacked-FET Power Amplifier IC with Adaptively Controlled Bias and Load Circuits in 45-nm CMOS SOI Um amplificador de potência FET empilhado de alta eficiência de back-off de banda de 26 GHz com polarização controlada adaptativamente e circuitos de carga em CMOS SOI de 45 nm

Toshihiko YOSHIMASU, Mengchu FANG, Tsuyoshi SUGIURA

  • Exibições de texto completo

    0

  • Cite isto

Resumo:

Este artigo apresenta um IC amplificador de potência (PA) de alta eficiência de back-off de banda de 26 GHz com polarização controlada adaptativamente e circuitos de carga em CMOS SOI de 45 nm. Um FET de 4 pilhas é empregado para aumentar a potência de saída e superar o problema de baixa tensão de ruptura do MOSFET escalonado. O circuito de polarização adaptativa é revisado e o circuito de carga adaptativa que consiste em um circuito inversor e indutores baseados em transformador é descrito em detalhes. O desempenho medido do PA IC é totalmente mostrado neste artigo. O PA IC exibe uma potência de saída saturada de 20.5dBm e um pico de eficiência de potência adicionada (PAE) de até 39.4% a uma tensão de alimentação de 4.0V. Além disso, o PA IC exibiu um excelente ITRS FoM de 82.0dB.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E104-A No.2 pp.477-483
Data de publicação
2021/02/01
Publicitada
ISSN online
1745-1337
DOI
10.1587/transfun.2020GCP0012
Tipo de Manuscrito
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Analog Circuit Techniques and Related Topics)
Categoria

autores

Toshihiko YOSHIMASU
  Waseda University
Mengchu FANG
  Waseda University
Tsuyoshi SUGIURA
  the Samsung R&D Institute Japan

Palavra-chave