A funcionalidade de pesquisa está em construção.
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Rapid Recovery by Maximizing Page-Mapping Logs Deactivation Recuperação rápida maximizando a desativação de logs de mapeamento de páginas

Jung-Hoon KIM

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Resumo:

À medida que o armazenamento baseado em flash NAND foi estabelecido, uma camada de tradução flash (FTL) ficou encarregada de mapear endereços de dados na memória flash NAND. Muitos FTLs implementaram vários esquemas de mapeamento, mas a quantidade de dados de mapeamento depende do nível de mapeamento. No entanto, o FTL deve contemplar a consistência do mapeamento, independentemente da quantidade de dados de mapeamento que residem no armazenamento. Além disso, o custo de recuperação pela inconsistência precisa ser considerado para um tempo de reinicialização do armazenamento mais rápido. Esta carta propõe um novo método que melhora a consistência de um FTL de nível de mapeamento de página executando uma política de registro herdada. Além disso, o custo de recuperação dos mapeamentos de páginas também diminui. O novo método consiste em adotar um segmento virtualmente reduzido e desativar os logs de mapeamento de páginas montando e armazenando os segmentos. Este esquema de segmento já proporcionou ao armazenamento baseado em flash NAND integrado melhorar seu tempo de resposta em nosso estudo anterior. Além desse resultado melhorado, este novo plano maximiza a consistência do mapeamento de páginas e, portanto, melhora o custo de recuperação em comparação com o FTL de mapeamento de páginas legado.

Publicação
IEICE TRANSACTIONS on Information Vol.E104-D No.6 pp.885-889
Data de publicação
2021/06/01
Publicitada
2021/02/25
ISSN online
1745-1361
DOI
10.1587/transinf.2020EDL8141
Tipo de Manuscrito
LETTER
Categoria
Sistema de Software

autores

Jung-Hoon KIM
  Samsung Electronics Co., Ltd.

Palavra-chave